In-growth Sensor Technology
米国特許取得済みの、in-situモニタリングシステムは、エピ成長に影響の無い、光学機器を使用して、各データを収集、独自解析ソフトにより解析し、各種パラメータをコントロールしております。
in-situモニタリングシステム参考資料
sensor.pdf
In-situモニタリングシステムは、結果的に・・・・
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Epi Wafer Structures
ご要求により、下記Epi-waferを提供しております。
For RF and Microwave:
- GaAs pHEMT
- GaAs mHEMT
- InP HEMT
- InP HBT
For High Speed Digital:
- InP SHBT/DHBT
- InP HEMT
- GaAs mHEMT
- GaAsSb DHBT
For Optoelectronics:
- GaAs PIN/APD
- InP PIN/APD
- QWIP (Quantum Well Infrared Photodetector)
- Diode Laser
- Type-U SLS
- Modulator
III-V on Si (R&D):
- GaAs, InGaAs and InSb on patterned Si
- Epi wafer size up to 200mm
赤字部については、量産体制が既に整っております。
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InP Product Detail
InP Epi Wafers:
- HEMT
- SHBT (InP/InGaAs, InAlAs/InGaAs)
- DHBT (InP/InGaAs, InAlAs/InGaAs)
- PIN, RTT, RTD
- Opto and other RF devices
InP Doping Concentration Ranges:
- Si in InGaAs, InP, InAlAs, InGaAlAs - 1E16 to 3E19
- Be in InGaAs and InP - 1E17 to (4-5)E19
- C in InGaAs and InP - 1E17 to 1E20
Uniformity Tolerances from-run-to-run:
- +/- 5% for doping concentration
- +/- 5 - 10% for layer thickness 小ロット時
- +/- 3% for layer thickness 大ロット時
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Carbon Doping using CBr4
CBr4ガスソースを使用して、InGaAsのカーボンドーピング濃度 1E20xcm-3を達成しております。
カーボンドーピングデータ参考資料 CBr4.pdf
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GaSb基板の製造販売
GaSb基板を、自社工場にて製造しております。サイズは2/3/4インチ、Pタイプ/Nタイプが有ります。
詳細情報につきましては、弊社までお問い合わせ下さい。
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Intelli Epi プレゼン資料
2015年版 IntelliEPI紹介資料
IntelliEpi Company Information (PDF)
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