概 要
Microsanj社の 開発した熱画像解析装置、Nanothermシリーズは、これまでのIRによるサーモグラフィー装置とは 全く異なった温度測定技術を用いたシステムです。測定物のIR放射を測定するのではなく、 測定物に非常に短時間の光を照射し、その反射光を計測することにより温度分布を測定するため、 測定物に全く影響を与えること無く、IRでは難しかった広い温度範囲を非接触にて測定することが 可能となりました。測定は金属を含むあらゆるものが可能で、測定物を熱したり、表面に特別な処理を 行う必要が有りません。また、薄いシリコン基板は光を透過することから、flip-chip等の、シリコン基板上の 半導体の熱画像を裏面から観測することが可能です。また、Nanothermシステムの最大の特徴として、 オプションにてバイアス電源と信号源を追加することにより、熱画像の過渡特性を、最速では0.8nsec間隔で 測定することができます。Nanothermシステムにより、温度上昇、熱集中の状況をリアルタイムに観察することで、 半導体そのものや半導体回路の最適な熱設計を行うこと、また故障解析、不良解析を行うことが可能です。 測定物の大きさは最小300nm、温度分解能は最小0.2℃、測定温度範囲-265〜500℃に対応します。
特徴と適用例
[特 徴]  
  • IRによらない可視光による測定/非接触、非侵襲
  • 過渡特性解析/最小0.8nsec
  • 対象を選ばず、加熱や表面処理の必要無し
  • 温度測定範囲/-265〜500℃
  • 温度分解能/最小0.2℃
  • 空間分解能/最小0.3um
  • シリコン基板上のデバイスの裏面温度測定
  • 使いやすいソフトウェア
[適用例]
  • 表面温度測定(非侵襲)/電子・光電子デバイス
  • 熱設計の最適化/半導体等
  • マイクロエレクトロニクス部品の解析および
    品質管理
  • 熱的欠陥検査、不良解析
  • 製造ラインでの検査
測定例
温度分布の3D表示 ESDデバイス過渡特性(0/0.3/30/170usec)
           
IR方式とNanothermの比較 VIAホールの過渡特性
         
ソーラーセルの微細な欠陥の検査 トランジスタアレーの検査
      



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